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参数资料
| 型号： | BSS84-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS84DICT |
BSS84
400
-600
350
-500
300
250
200
-400
-300
150
-200
100
50
-100
0
0
25
50 75 100 125 150
175
200
0
0
-1
-2
-3
-4
-5
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Drain-Source Current vs. Drain-Source Voltage
10
9
8
7
6
5
4
3
2
T A = 125 ° C
1
0.0
0
-1
-2 -3 -4
-5 -6
-7 -8
0
0
-1
T A = 25 ° C
-2 -3 -4 -5
15
12
9
6
3
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Drain-Current vs. Gate-Source Voltage
V GS = -10V
I D = -0.13A
25.0
20.0
15.0
10.0
5.0
V GS , GATE-SOURCE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
0
-50
-25 0
25 50 75 100 125
150
0.0
0.0
-0.2
-0.4 -0.6
-0.8
-1.0
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance vs. Junction Temperature
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 6 On-Resistance vs. Drain-Current
BSS84
Document number: DS30149 Rev. 20 - 2
3 of 5
www.diodes.com
August 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84_D87Z | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS84-7-F | 功能描述:MOSFET -50V 250mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS84-7-F-31 | 制造商:DIODES 功能描述:P-Channel NPN MOSFET / SOT-23 |
| BSS84AK | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET P CH 50V 0.18A SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 50V, 0.18A, SOT23 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, P CH, 50V, 0.18A, SOT23; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-180mA; Drain Source Voltage Vds:-50V; On Resistance Rds(on):4.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-1.6V ;RoHS Compliant: Yes |
| BSS84AK,215 | 功能描述:MOSFET P-CH -50 V -180 mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS84AK-BR | 功能描述:MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽车级，AEC-Q101 零件状态:停產 FET 类型:P 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.35nC @ 5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:36pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.14W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:7.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:TO-236AB 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:3,000 |
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