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参数资料
| 型号： | BSS8402DW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V，50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA，130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS8402DWDICT |
BSS8402DW
Maximum Ratings – Total Device (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Power Dissipation (Note 5)
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Operating and Storage Temperature Range
Symbol
P D
R θ JA
T J, T STG
Value
200
625
-55 to +150
Units
mW
°C/W
°C
Maximum Ratings N-CHANNEL – Q 1 , 2N7002 Section (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage R GS ≤ 1.0M ?
Symbol
V DSS
V DGR
Value
60
60
Units
V
V
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 5)
Continuous
Pulsed
Continuous
Continuous @ +100°C
Pulsed
V GSS
I D
±20
±40
115
73
800
V
mA
Maximum Ratings P-CHANNEL – Q 2 , BSS84 Section (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Drain-Source Voltage
Drain-Gate Voltage R GS ≤ 20K ?
Symbol
V DSS
V DGR
Value
-50
-50
Units
V
V
Gate-Source Voltage
Drain Current (Note 5)
Continuous
Continuous
V GSS
I D
± 20
-130
V
mA
Note:
5. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout document AP02001,
which can be found on our website at http://www.diodes.com.
BSS8402DW
Document number: DS30380 Rev. 21 - 2
2 of 7
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84DW-7 | MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 |
| BSS84LT1 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| BSS84TC | MOSFET P-CHAN 50V SOT23-3 |
| BSS84V-7 | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 |
| BSS84W-7 | MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS8402DW-7-F | 功能描述:MOSFET 60 / -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS8402DWQ-7 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:60V，50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 |
| BSS8402DWT/R13 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
| BSS8402DWT/R13-R | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
| BSS8402DWT/R7 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
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