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参数资料
| 型号： | BSS8402DW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V，50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 115mA，130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 200mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | BSS8402DWDICT |
BSS8402DW
N-CHANNEL – 2N7002 Section
1.0
7
T j = 25 ° C
6
0.8
5
0.6
0.4
4
3
2
0.2
1
0
0
1 2 3 4
5
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
3.0
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1 On-Region Characteristics
6
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 2 On-Resistance vs. Drain Current
5
2.5
4
2.0
3
2
1.5
V GS = 10V,
I D = 200mA
1
1.0
-55
-30 -5 20 45 70 95 120 145
0
0
2 4 6 8 10 12 14 16 18
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 3 On-Resistance vs. Junction Temperature
250
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
9
8
7
6
5
4
3
2
1
V DS = 10V
200
150
100
50
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5 Typical Transfer Characteristics
1
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
BSS8402DW
Document number: DS30380 Rev. 21 - 2
4 of 7
www.diodes.com
February 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84DW-7 | MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 |
| BSS84LT1 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
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| BSS84V-7 | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS8402DW-7-F | 功能描述:MOSFET 60 / -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS8402DWQ-7 | 功能描述:MOSFET N/P-CH 60V/50V 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压（Vdss）:60V，50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:115mA，130mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:13.5 欧姆 @ 500mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:200mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:SOT-363 标准包装:3,000 |
| BSS8402DWT/R13 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
| BSS8402DWT/R13-R | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
| BSS8402DWT/R7 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:COMPLIMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFETS |
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