- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录398 > BSS84DW-7 (Diodes Inc)MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | BSS84DW-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 |
| 产品变化通告： | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 45pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 300mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装： | SOT-363 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | BSS84DWDITR |
BSS84DW
400
-600
350
300
250
200
-500
-400
-300
T A = 25 ° C
150
-200
100
50
-100
0
0 25 50 75 100 125 150 175 200
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 1 Max Power Dissipation vs. Ambient Temperature
0
0 -1 -2 -3 -4 -5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 2 Drain-Source Current vs. Drain-Source Voltage
-1.0
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
T A = 125 ° C
-0.0
0
-1
-2 -3 -4
-5
-6
-7
-8
0
0
-1
T A = 25 ° C
-2 -3 -4
-5
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 3 Drain-Current vs. Gate-Source Voltage
V GS , GATE-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 4 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage
15
12
V GS = -10V
I D = -0.13A
25.0
20.0
V GS = -3V
V GS = -3.5V
9
15.0
V GS = -4.5V
V GS = -5V
6
3
10.0
5.0
V GS = -4V
V GS = -6V
V GS = -8V
V GS = -10V
0
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance vs. Junction Temperature
0.0
-0.0
-0.2 -0.4 -0.6 -0.8
I D , DRAIN-CURRENT (A)
Fig. 6 On-Resistance vs. Drain-Current
-1.0
BSS84DW
Document number: DS30204 Rev. 18 - 2
3 of 5
www.diodes.com
January 2014
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSS84LT1 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| BSS84TC | MOSFET P-CHAN 50V SOT23-3 |
| BSS84V-7 | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 |
| BSS84W-7 | MOSFET P-CH 50V 130MA SC70-3 |
| BVSS123LT1G | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23-3 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BSS84DW-7-F | 功能描述:MOSFET -50V 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS84DWT/R13 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| BSS84DWT/R7 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| BSS84-E7733 | 制造商:Siemens 功能描述:130 MA, 50 V, P-CHANNEL, SI, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOT-23 |
| BSS84L | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | SOT-23 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。