参数资料
型号: BSS84DW-7
厂商: Diodes Inc
文件页数: 4/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6
产品变化通告: Encapsulate Change 09/July/2007
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 130mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 10 欧姆 @ 100mA,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 1mA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 45pF @ 25V
功率 - 最大: 300mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装: SOT-363
包装: 带卷 (TR)
其它名称: BSS84DWDITR
BSS84DW
Package Outline Dimensions
Please see AP02002 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02002.pdf for latest version.
A
SOT363
Dim Min
Max
Typ
A
0.10
0.30
0.25
B C
B
C
1.15
2.00
1.35
2.20
1.30
2.10
D
0.65 Typ
F
0.40
0.45
0.425
H
H
J
1.80
0
2.20
0.10
2.15
0.05
K
M
K
L
0.90
0.25
1.00
0.40
1.00
0.30
J
D
F
L
M
??
0.10 0.22 0.11
0° 8° -
All Dimensions in mm
Suggested Pad Layout
Please see AP02001 at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf for the latest version.
C2
C2
Dimensions Value (in mm)
Z
G
2.5
1.3
Z
G
C1
X
Y
0.42
0.6
C1
1.9
BSS84DW
Document number: DS30204 Rev. 18 - 2
Y
X
4 of 5
www.diodes.com
C2
0.65
January 2014
? Diodes Incorporated
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PDF描述
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参数描述
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