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参数资料
| 型号： | BSS84LT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 欧姆 @ 100mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 30pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | BSS84LT1OSDKR |
BSS84L, BVSS84L
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
9
8
V GS = -4.5 V
150 ° C
7
6.5
6
V GS = -10 V
150 ° C
7
6
5.5
5
5
4
3
2
25 ° C
-55 ° C
4.5
4
3.5
3
2.5
2
25 ° C
-55 ° C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
2
-I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
-8
-I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = -10 V
I D = -0.52 A
V GS = -4.5 V
I D = -0.13 A
-7
-6
-5
-4
-3
V DS = -40 V
T J = 25 ° C
I D = -0.5 A
1
-2
0.8
-1
0.6
- 55
-5
45
95
145
0
0
500
1000
1500
2000
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with Temperature
1
Q T , TOTAL GATE CHARGE (pC)
Figure 6. Gate Charge
0.1
T J = 150 ° C
25 ° C
-55 ° C
0.01
0.001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-V SD , DIODE FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Body Diode Forward Voltage
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| BSS84LT1/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 130 mAmps， 50 Volts |
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| BSS84LT1G | 功能描述:MOSFET 50V 130mA P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BSS84LT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| BSS84LT3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 100MA I(D) | TO-236AB |
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