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参数资料
| 型号： | BUK7109-75ATE |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426 |
| 中文描述： | 晶体管 | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426封装 |
| 文件页数： | 11/16页 |
| 文件大小： | 341K |
| 代理商： | BUK7109-75ATE |
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
4 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
SOT263B
vertical in still air
-
60
-
K/W
SOT426
mounted on printed circuit
board; minimum footprint
-
50
-
K/W
Rth(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
-
0.55
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ni64
10-3
10-2
10-1
1
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
tp(s)
Z th(j-mb)
(K/W)
tp
T
P
t
T
δ =
δ = 0.5
0.1
0.05
0.02
single shot
0.2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| BUK7109-75ATE,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK714R1-40BT | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
| BUK714R1-40BT /T3 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK714R1-40BT,118 | 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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