参数资料
型号: BUK7109-75ATE
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
中文描述: 晶体管 | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426封装
文件页数: 6/16页
文件大小: 341K
代理商: BUK7109-75ATE
Philips Semiconductors
BUK71/7905-40ATE
TrenchPLUS standard level FET
Product data
Rev. 01 — 20 August 2003
14 of 16
9397 750 11694
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
8.
Revision history
Table 5:
Revision history
Rev Date
CPCN
Description
01
20030820
-
Product data; initial version (9397 750 11694)
相关PDF资料
PDF描述
BUK7909-75AIE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220VAR
BUK7909-75ATE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 70V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-263B
BUK793-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 20A I(D) | SOT-263
BUK795-60A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 38A I(D) | SOT-263
BUK9107-40ATC TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | SOT-426
相关代理商/技术参数
参数描述
BUK7109-75ATE /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUK7109-75ATE,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUK714R1-40BT 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET
BUK714R1-40BT /T3 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
BUK714R1-40BT,118 功能描述:MOSFET TRENCHPLUS MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube