- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223464 > BUK9523-75A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-220AB PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BUK9523-75A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 75V的五（巴西）直|第53A条（丁）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | BUK9523-75A |
Philips Semiconductors
BUK9509-75A; BUK9609-75A
TrenchMOS logic level FET
Product specication
Rev. 02 — 06 November 2000
4 of 15
9397 750 07656
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Thermal characteristics
Symbol
Parameter
Conditions
Value
Unit
Rth(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
vertical in still air; SOT78 package
60
K/W
mounted on printed circuit board;
minimum footprint; SOT404
package
50
K/W
Rth(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
0.65
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03nb45
Single Shot
0.2
0.1
0.05
0.02
0.001
0.01
0.1
1
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
δ = 0.05
tp
T
P
t
T
δ =
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BUK952R8-30B | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| BUK9535-100A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-220AB |
| BUK953R2-40B | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-220AB |
| BUK9556-30 | N-Channel Enhancement MOSFET |
| BUK9609-75A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK9523-75A,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9524-55 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUK9524-55/B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUK9524-55A | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9524-55A,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。