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参数资料
| 型号： | BUK9523-75A |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 53A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 75V的五（巴西）直|第53A条（丁）| TO - 220AB现有 |
| 文件页数： | 4/15页 |
| 文件大小： | 315K |
| 代理商： | BUK9523-75A |
Philips Semiconductors
BUK9509-75A; BUK9609-75A
TrenchMOS logic level FET
Product specication
Rev. 02 — 06 November 2000
12 of 15
9397 750 07656
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
11. Revision history
Table 6:
Revision history
Rev Date
CPCN
Description
02
20001106
-
Product specication; second version; supersedes Rev. 01 of 20001010.
Value of ‘IS’ changed from ‘46 A’ to ‘20 A’ in the ‘Conditions’ column of ‘trr’;
see section “Source-drain diode” of Table 5 “Characteristics”.
01
20001010
-
Product specication; initial version.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| BUK9609-75A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 75V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-263AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BUK9523-75A,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9524-55 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| BUK9524-55/B | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| BUK9524-55A | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| BUK9524-55A,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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