- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录223485 > BZT52B6V2-V-GS18 (VISHAY SEMICONDUCTORS) 6.2 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE PDF资料下载
参数资料
| 型号： | BZT52B6V2-V-GS18 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 6.2 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | BZT52B6V2-V-GS18 |
BZT52-V-Series
Document Number 85760
Rev. 1.6, 15-Apr-10
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
5
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Figure 7. Dynamic Resistance vs. Zener Current
Figure 8. Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage
Figure 9. Dynamic Resistance vs. Zener Voltage
18120
103
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
10
Ω
0.1
23
4 5
23
4 5
110
mA
R
zj
I
Z
T
j = 25 °C
47 + 51
43
39
36
102
18121
103
5
4
3
2
5
4
3
2
102
1
R
zth
5
4
3
2
10
Ω
1
23
4 5
23
4 5
10
100 V
V
Z at IZ = 5 mA
negative
positive
Δ
V
Z
T
j
R
zth = RthA x VZ x
18122
100
7
5
4
3
2
7
5
4
3
2
1
Ω
R
zj
10
T
j = 25 °C
I
Z = 5 mA
1
23
4
5
23
4
5
10
100 V
V
Z
Figure 10. Temperature Dependence of Zener Voltage vs.
Zener Voltage
Figure 11. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature
Figure 12. Temperature Dependence of Zener Voltage vs.
Zener Voltage
18135
Δ
25
20
15
10
5
0
- 5
mV/°C
Δ
V
Z
T
j
1
23
4
5
23
4
5
10
100 V
V
Z at IZ = 5 mA
V
27 V, I = 2 mA
≥
5 mA
1 mA
20 mA
I
Z =
18124
V
Z at IZ = 5 mA
25
15
10
8
7
6.2
5.9
5.6
5.1
4.7
3.6
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
- 1
- 0.2
V
Z
V
T
j
020
40
60
80
100 120 140 C
Δ
18136
Δ
100
80
60
40
20
0
mV/°C
Δ
V
Z
T
j
0
20
40
80
60
100 V
V
Z at IZ = 2 mA
I
Z = 5 mA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BZT52B7V5-V-GS18 | 7.5 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| BZV03/B1013/14 | 10A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR |
| BZV03/B1013/37 | 10A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR |
| BZV03/B1013/38 | 10A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR |
| BZV03/B1013/39 | 10A, 250VAC, MALE, MAINS POWER CONNECTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| BZT52B6V8 | 功能描述:稳压二极管 6.8 Volt 410mW 2% RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| BZT52-B6V8 | 制造商:PANJIT 制造商全称:Pan Jit International Inc. 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES |
| BZT52B6V8 _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BZT52B6V8 RH | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Zener Single 6.8V 2% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R |
| BZT52B6V8 RHG | 功能描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123F 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:15 Ohms 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:1.8μA @ 4V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf:1V @ 10mA 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOD-123F 供应商器件封装:SOD-123F 标准包装:3,000 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。