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参数资料
| 型号： | BZT52B6V2-V-GS18 |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 齐纳二极管 |
| 英文描述： | 6.2 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 117K |
| 代理商： | BZT52B6V2-V-GS18 |
www.vishay.com
6
Document Number 85760
Rev. 1.6, 15-Apr-10
BZT52-V-Series
Vishay Semiconductors
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Figure 13. Change of Zener Voltage vs. Junction Temperature
Figure 14. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of
thermal equilibrium vs. Zener voltage
Figure 15. Change of Zener voltage from turn-on up to the point of
thermal equilibrium vs. Zener voltage
18158
18159
18160
Δ
5
4
3
2
1
0
V
Z
0
20
40
60
80
100 V
V
Z at IZ = 5 mA
I
Z = 5 mA
I
Z = 2.5 mA
V
Z = rzth x IZ
Δ
Figure 16. Breakdown Characteristics
Figure 17. Breakdown Characteristics
18111
Test
current
I
Z 5 mA
1
23
4
5
67
8
9
0
10 V
VZ
3.3
3.9 5.6
2.7
mA
50
40
30
20
10
0
lZ
Tj = 25 °C
8.2
6.8
4.7
18112
10
20
30
0
40 V
VZ
mA
30
20
10
0
lZ
33
Test
current
IZ 5 mA
Tj = 25 °C
10
12
15
18
22
27
36
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PDF描述 |
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