参数资料
型号: BZT52B6V2-V-GS18
厂商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分类: 齐纳二极管
英文描述: 6.2 V, 0.41 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
封装: ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
文件页数: 7/8页
文件大小: 117K
代理商: BZT52B6V2-V-GS18
BZT52-V-Series
Document Number 85760
Rev. 1.6, 15-Apr-10
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
7
For technical support, please contact: DiodesSSP@vishay.com
Package Dimensions in millimeters (inches): SOD-123
Figure 18. Breakdown Characteristics
18157
0.1
(0.004)
max.
2.85 (0.112)
2.55 (0.100)
3.85 (0.152)
3.55 (0.140)
1.7
(0.067)
1.40
(0.055)
Mounting Pad Layout
2.5 (0.098)
0.85 (0.033)
0.
8
5
(0.033)
Cathode bar
0.65
(0.026)
0.45
(0.01
8
)
0.10
(0.004)
1
(0.039)
0.15
(0.006)
1.35
(0.053)
0.2
(0.00
8
)
to
8
°
0.45 (0.018)
0.25 (0.010)
0.5 (0.020) ref.
Rev. 4 - Date: 24. Sep. 2009
Document no.: S8-V-3910.01-001 (4)
17432
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PDF描述
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