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参数资料
| 型号： | C2D20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 507K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1200V 22A TO-247 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Zero Recovery™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 22A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
1
C2D20120D Rev. H
C2D20120D
Silicon Carbide Schottky Diode
Zero
recovery
?
RectifieR
Features
?
1.2kV
Schottky
Rectifer
? ?
Zero
Reverse
Recovery
Zero
Forward
Recovery
? ?
High-Frequency
Operation
Temperature-Independent
Switching
Behavior
?
Extremely
Fast
Switching
?
Positive
Temperature
Coeffcient
on
VF
Benefts
?
Replace
Bipolar
with
Unipolar
Rectifers
?
Essentially
No
Switching
Losses
?
Higher
Effciency
?
Reduction
of
Heat
Sink
Requirements
?
Parallel
Devices
Without
Thermal
Runaway
Applications
?
Switch
Mode
Power
Supplies
?
Power
Factor
Correction
?
Motor
Drives
Package
TO-247-3
Maximum Ratings (T
C=25°C
unless
otherwise
specifed)
Symbol
Parameter
Value
Unit
Test Conditions
Note
VRRM
Repetitive
Peak
Reverse
Voltage
1200
V
VRSM
Surge
Peak
Reverse
Voltage
1200
V
VDC
DC
Blocking
Voltage
1200
V
IF
Continuous
Forward
Current
(Per
Leg/Device)
14.5/29
31/62
10/20
A
TC=25?C
TC=135?C
TC=152?C
IFRM
Repetitive
Peak
Forward
Surge
Current
50*
A
TC=25?C,
tP=8.3
ms,
Half
Sine
Wave
IFSM
Non-Repetitive
Peak
Forward
Surge
Current
250*
A
TC=25?C,
tP=10
μs,
Pulse
Ptot
Power
Dissipation
(Per
Leg/Device)
312/624
135/270
W
TC=25?C
TC=110?C
TJ
,
Tstg
Operating
Junction
and
Storage
Temperature
-55 to
+175
?C
TO-247
Mounting
Torque
1
8.8
Nm
lbf-in
M3
Screw
6-32
Screw
*
Per
Leg,
**
Per
Device
Part Number
Package
Marking
C2D20120D
TO-247-3
C2D20120
VRRM
= 1200 V
IF (T
C=135?C) =
29
A**
Qc
=
122
nC**
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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