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参数资料
| 型号： | C2D20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 507K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1200V 22A TO-247 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Zero Recovery™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 22A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
3
C2D20120D Rev. H
100.0100
90.090
80.080
70.070
60.060
50.050
40.040
30.030
20.020
10.010
0.00
Figure
3.
Current
Derating
Figure
5.
Capacitance
vs.
Reverse
Voltage
Typical Performance
I
F(AVG)
Forward Current (A)
C2D10120
Peak Forward Current
Page 1
25 25 50 75 100 125 150 175
50
75
100
125
150
175
Case Temperature (Case Temperature
°C)
I
F(PEAK)
Peak Forward Current (A)
10%
Duty*
20%
Duty*
30%
Duty*
50%
Duty*
70%
Duty*
DC
TC
* Frequency
>
1KHz
VR Reverse Voltage (V)
C
Capacitance (pF)
800
700
600
500
400
300
200
100
0
1
10 100 1000
Figure
4.
Power
Derating
150
175
200
225
250
275
300
325
350
Power Dissipation (W)
0
25
50
75
100
125
25 50 75 100 125 150 175
Power Dissipation (W)
TcCase Temperature (°C)T
C
?C
P
Tot
(W)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| C3D20060D | DIODE SCHOT 600V 20A ZREC TO247 |
| C40-0701A | DISPLAY VFD CUST APPLIANCE |
| C40-1405 | DISPLAY VFD CUST ELEVATOR |
| C4D10120D | DIODE ARR SCHTKY 1200V 9A TO247 |
| C4D20120D | DIODE ARR SCHTKY 1200V 16A TO247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| C2D20120D | 制造商:Cree 功能描述:Diode 制造商:Cree 功能描述:SIC SCHOTTKY DIODE, CMN CTHD, 20A TO-247 |
| C2D-BC945G | 制造商:BCM Advanced Research 功能描述:BC945G W/ CORE 2 DUO SUPPORT - Bulk |
| C2DBKJ000137 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:IC |
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