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参数资料
| 型号： | C2D20120D |
| 厂商： | Cree Inc |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 507K |
| 描述： | DIODE SCHOTTKY 1200V 22A TO-247 |
| 产品培训模块： | SiC Diodes in Inverter Modules SiC Schottky Diodes |
| 产品目录绘图： | Circuit and Pin Out |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | Zero Recovery™ |
| 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）： | 1.8V @ 10A |
| 电流 - 在 Vr 时反向漏电： | 200µA @ 1200V |
| 电流 - 平均整流 (Io)（每个二极管）： | 22A |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 1200V（1.2kV） |
| 反向恢复时间(trr)： | 0ns |
| 二极管类型： | 碳化硅肖特基 |
| 速度： | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 二极管配置： | 1 对共阴极 |
| 安装类型： | 通孔，径向 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1574 (CN2011-ZH PDF) |
2
C2D20120D Rev. H
Electrical Characteristics (Per Leg)
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
VF
Forward
Voltage
1.6
2.5
1.8
3.0
V
IF
= 10 A T
J=25°C
IF
= 10 A T
J=175°C
IR
Reverse
Current
10
20
200
1000
μA
VR
= 1200 V T
J=25°C
VR
= 1200 V T
J=175°C
QC
Total
Capacitive
Charge
61
nC
VR
=
1200
V,
IF
= 10A
di/dt
=
500
A/μs
TJ
=
25°C
C
Total
Capacitance
1000
80
59
pF
VR
=
0
V,
TJ
=
25°C,
f
=
1
MHz
VR
=
200
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
VR
=
400
V,
TJ
=
25?C,
f
=
1
MHz
Note:
1.
This
is
a
majority
carrier
diode,
so
there
is
no
reverse
recovery
charge.
Thermal Characteristics
Symbol
Parameter
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Note
RθJC
Thermal
Resistance
from
Junction
to
Case
0.48**
0.24*
°C/W
**
Per
Leg,
*
Both
Legs
Typical Performance (Per Leg)
Figure
1.
Forward
Characteristics
Figure
2.
Reverse
Characteristics
VF Forward Voltage (V)
I
F
Forward Current (A)
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
VR Reverse Voltage (V)
I
R
Reverse Current (μA)
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
500 1000 1500 2000
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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