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参数资料
| 型号： | CAT28C512GI12 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 120NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 32 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CAT28C512GI-12 CAT28C512GI-12-ND |
CAT28C512/513
MODE SELECTION
Read
Mode
CE
L
WE
H
OE
L
I/O
D OUT
Power
ACTIVE
Byte Write (WE Controlled)
Byte Write (CE Controlled)
L
L
H
H
D IN
D IN
ACTIVE
ACTIVE
Standby, and Write Inhibit
Read and Write Inhibit
H
X
X
H
X
H
High-Z
High-Z
STANDBY
ACTIVE
CAPACITANCE T A = 25 ° C, f = 1.0 MHz, V CC = 5V
Symbol
Test
Max.
Units
Conditions
C I/O
(1)
Input/Output Capacitance
10
pF
V I/O = 0V
C IN(1)
Input Capacitance
6
pF
V IN = 0V
A.C. CHARACTERISTICS, Read Cycle
V CC =5V + 10%, Unless otherwise specified
28C512/513-12 28C512/513-15
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Units
t RC
t CE
t AA
t OE
t LZ(1)
t OLZ(1)
t HZ(1)(2)
t OHZ(1)(2)
t OH(1)
Read Cycle Time
CE Access Time
Address Access Time
OE Access Time
CE Low to Active Output
OE Low to Active Output
CE High to High-Z Output
OE High to High-Z Output
Output Hold from Address Change
120
0
0
0
120
120
50
50
50
150
0
0
0
150
150
70
50
50
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Power-Up Timing
Symbol
t PUR (1)
t PUW (2)
Parameter
Power-up to Read Operation
Power-up to Write Operation
Min.
5
Max
100
10
Units
μ s
ms
Note:
(1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.
(2) Output floating (High-Z) is defined as the state when the external data line is no longer driven by the output buffer.
Doc. No. MD-1007, Rev. I
4
? 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T86C155K035EBSS | CAP TANT 1.5UF 35V 10% 2312 |
| ESA40DTKH | CONN EDGECARD 80POS DIP .125 SLD |
| CAT28C512G12 | IC EEPROM 512KBIT 120NS 32PLCC |
| MAX3600ACTL+T | IC LASER DVR PROJECTOR 40TQFN |
| VE-JN3-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28C512GI-12 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC EEPROM 512KBIT PARALLEL LCC-32 |
| CAT28C512GI-12T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512GI-15 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 150 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512GI-15T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512H-12 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 120 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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