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参数资料
| 型号： | CAT28C512GI12 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 512KBIT 120NS 32PLCC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 05/Oct/2010 |
| 标准包装： | 32 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 并行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 512K (64K x 8) |
| 速度： | 120ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 32-PLCC（11.43x13.97） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | CAT28C512GI-12 CAT28C512GI-12-ND |
CAT28C512/513
DEVICE OPERATION
Read
Data stored in the CAT28C512/513 is transferred to the
data bus when WE is held high, and both OE and CE
are held low. The data bus is set to a high impedance
state when either CE or OE goes high. This 2-line control
architecture can be used to eliminate bus contention in
a system environment.
Figure 3. Read Cycle
tRC
ADDRESS
tCE
CE
tOE
OE
VIH
Byte Write
A write cycle is executed when both CE and WE are low,
and OE is high. Write cycles can be initiated using either
WE or CE , with the address input being latched on the
falling edge of WE or CE , whichever occurs last. Data,
conversely, is latched on the rising edge of WE or CE ,
whichever occurs first. Once initiated, a byte write cycle
automatically erases the addressed byte and the new
data is written within 5 ms.
WE
tLZ
tOHZ
tOLZ
tOH
tHZ
DATA OUT
HIGH-Z
DATA VALID
DATA VALID
tAA
Figure 4. Byte Write Cycle [WE Controlled]
tWC
ADDRESS
CE
OE
tAS
tCS
tAH
tCH
tOES
tWP
tOEH
WE
tBLC
DATA OUT
DATA IN
HIGH-Z
DATA VALID
tDS
tDH
Doc. No. MD-1007, Rev. I
6
? 2009 SCILLC. All rights reserved.
Characteristics subject to change without notice
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| T86C155K035EBSS | CAP TANT 1.5UF 35V 10% 2312 |
| ESA40DTKH | CONN EDGECARD 80POS DIP .125 SLD |
| CAT28C512G12 | IC EEPROM 512KBIT 120NS 32PLCC |
| MAX3600ACTL+T | IC LASER DVR PROJECTOR 40TQFN |
| VE-JN3-CX-S | CONVERTER MOD DC/DC 24V 75W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CAT28C512GI-12 | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC EEPROM 512KBIT PARALLEL LCC-32 |
| CAT28C512GI-12T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512GI-15 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 150 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512GI-15T | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 512K-Bit CMOS PARA 电可擦除可编程只读存储器 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
| CAT28C512H-12 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 64K X 8 512K 5V 120 RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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