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参数资料
| 型号： | CAT93C66XI |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 94 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K（512 x 8 或 256 x 16） |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
CAT93C66, CAT93W66
Table 5. D.C. OPERATING CHARACTERISTICS ? NEW PRODUCT (REV H)
(V CC = +1.8 V to +5.5 V, T A = ? 40 ° C to +125 ° C unless otherwise specified.)
Symbol
I CC1
I CC2
Parameter
Supply Current (Write)
Supply Current (Read)
Test Conditions
Write, V CC = 5.0 V
Read, DO open, f SK = 2 MHz, V CC = 5.0 V
Min
Max
1
500
Units
mA
m A
I SB1
I SB2
I LI
Standby Current
(x8 Mode)
Standby Current
(x16 Mode)
Input Leakage Current
V IN = GND or V CC
CS = GND, ORG = GND
V IN = GND or V CC
CS = GND,
ORG = Float or V CC
V IN = GND to V CC
T A = ? 40 ° C to +85 ° C
T A = ? 40 ° C to +125 ° C
T A = ? 40 ° C to +85 ° C
T A = ? 40 ° C to +125 ° C
T A = ? 40 ° C to +85 ° C
2
5
1
3
1
m A
m A
m A
T A = ? 40 ° C to +125 ° C
2
I LO
V IL1
V IH1
V IL2
V IH2
Output Leakage
Current
Input Low Voltage
Input High Voltage
Input Low Voltage
Input High Voltage
V OUT = GND to V CC
CS = GND
4.5 V ≤ V CC < 5.5 V
4.5 V ≤ V CC < 5.5 V
1.8 V ≤ V CC < 4.5 V
1.8 V ≤ V CC < 4.5 V
T A = ? 40 ° C to +85 ° C
T A = ? 40 ° C to +125 ° C
? 0.1
2
0
V CC x 0.7
1
2
0.8
V CC + 1
V CC x 0.2
V CC + 1
m A
V
V
V
V
V OL1
V OH1
V OL2
V OH2
Output Low Voltage
Output High Voltage
Output Low Voltage
Output High Voltage
4.5 V ≤ V CC < 5.5 V, I OL = 3 mA
4.5 V ≤ V CC < 5.5 V, I OH = ? 400 m A
1.8 V ≤ V CC < 4.5 V, I OL = 1 mA
1.8 V ≤ V CC < 4.5 V, I OH = ? 100 m A
2.4
V CC ? 0.2
0.4
0.2
V
V
V
V
Table 6. PIN CAPACITANCE (T A = 25 ° C, f = 1.0 MHz, V CC = +5.0 V)
Symbol
C OUT (Note 5)
C IN (Note 5)
Test
Output Capacitance (DO)
Input Capacitance (CS, SK, DI, ORG)
Conditions
V OUT = 0 V
V IN = 0 V
Min
Typ
Max
5
5
Units
pF
pF
5. These parameters are tested initially and after a design or process change that affects the parameter according to appropriate AEC ? Q100
and JEDEC test methods.
Table 7. POWER ? UP TIMING (Notes 6, 7)
Symbol
t PUR
t PUW
Power ? up to Read Operation
Power ? up to Write Operation
Parameter
Max
1
1
Units
ms
ms
6. These parameters are tested initially and after a design or process change that affects the parameter according to appropriate
AEC ? Q100 and JEDEC test methods.
7. t PUR and t PUW are the delays required from the time V CC is stable until the specified operation can be initiated.
Table 8. A.C. TEST CONDITIONS
Input Rise and Fall Times
≤ 50 ns
Input Pulse Voltages
Timing Reference Voltages
Input Pulse Voltages
Timing Reference Voltages
Output Load
0.4 V to 2.4 V
0.8 V, 2.0 V
0.2 V CC to 0.7 V CC
0.5 V CC
Current Source I OLmax /I OHmax ; CL = 100 pF
http://onsemi.com
3
4.5 V ≤ V CC ≤ 5.5 V
4.5 V ≤ V CC ≤ 5.5 V
1.8 V ≤ V CC ≤ 4.5 V
1.8 V ≤ V CC ≤ 4.5 V
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