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参数资料
| 型号： | CAT93C66XI |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 4KBIT 2MHZ 8SOIC |
| 标准包装： | 94 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 4K（512 x 8 或 256 x 16） |
| 速度： | 2MHz |
| 接口： | Microwire 3 线串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOIC |
| 包装： | 管件 |
CAT93C66, CAT93W66
Erase All
Upon receiving an ERAL command (Figure 7), the CS
(Chip Select) pin must be deselected for a minimum of
t CSMIN . The falling edge of CS will start the self clocking
clear cycle of all memory locations in the device. The
clocking of the SK pin is not necessary after the device has
entered the self clocking mode. The ready/busy status of the
device can be determined by selecting the device and polling
the DO pin. Once cleared, the contents of all memory bits
return to a logical “1” state.
Write All
Upon receiving a WRAL command and data, the CS
(Chip Select) pin must be deselected for a minimum of
t CSMIN (Figure 8). The falling edge of CS will start the self
clocking data write to all memory locations in the device.
The clocking of the SK pin is not necessary after the device
has entered the self clocking mode. The ready/busy status of
the device can be determined by selecting the device and
polling the DO pin. It is not necessary for all memory
locations to be cleared before the WRAL command is
executed.
SK
CS
STATUS VERIFY
t CS
STANDBY
DI
1
0
0
1
0
t SV
t HZ
DO
HIGH ? Z
BUSY
READY
HIGH ? Z
t EW
Figure 7. ERAL Instruction Timing
SK
CS
STATUS VERIFY
t CSMIN
STANDBY
DI
1
0
0
0
1
D N
D 0
t SV
t HZ
DO
BUSY
READY
HIGH ? Z
t EW
Figure 8. WRAL Instruction Timing
http://onsemi.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CAT93C66Y-1.8 | 功能描述:电可擦除可编程只读存储器 (512x8) (256x16) 4K RoHS:否 制造商:Atmel 存储容量:2 Kbit 组织:256 B x 8 数据保留:100 yr 最大时钟频率:1000 KHz 最大工作电流:6 uA 工作电源电压:1.7 V to 5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 |
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