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参数资料
| 型号： | CGD1042H |
| 厂商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分类： | 功率放大器 |
| 英文描述： | 1 GHz, 23 dB gain high output power doubler |
| 封装： | CGD1042H<SOT115J|<<<1<Always Pb-free,; |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 85K |
| 代理商： | CGD1042H |
NXP Semiconductors
CGD1042H
1 GHz, 23 dB gain high output power doubler
NXP B.V. 2010.
All rights reserved.
For more information, please visit: http://www.nxp.com
For sales office addresses, please send an email to: salesaddresses@nxp.com
Date of release: 28 September 2010
Document identifier: CGD1042H
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11. Contents
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CGD1044HI | 1 GHz, 25 dB gain GaAs high output power doubler |
| CGD1044H | 1 GHz, 25 dB gain high output power doubler |
| CGD1046HI | 1 GHz, 27 dB gain GaAs high output power doubler |
| CGD942C | 870 MHz, 23 dB gain power doubler amplifier |
| CGD944C | 870 MHz, 25 dB gain power doubler amplifier |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CGD1042H,112 | 功能描述:射频混合器 CATV MODULES RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 频率范围: 转换损失——最大: 工作电源电压:6 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:PDIP-8 封装:Tube |
| CGD1042H_09 | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:1 GHz, 23 dB gain high output power doubler |
| CGD1042H112 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| CGD1042HI | 制造商:PHILIPS 制造商全称:NXP Semiconductors 功能描述:1 GHz, 22 dB gain GaAs high output power doubler |
| CGD1042HI,112 | 功能描述:射频放大器 1GHz,22 dB gain GaAs H-output PWR doubler RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 类型:Low Noise Amplifier 工作频率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 输出截获点:37.5 dBm 功率增益类型:32 dB 噪声系数:0.85 dB 工作电源电压:5 V 电源电流:125 mA 测试频率:2.6 GHz 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:QFN-16 封装:Reel |
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