应用范围:功率 | 品牌:进口 | 型号:4N60，5N60 | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:， | 击穿电压VCBO:， | 集电极最大允许电流ICM:， | 极性:NPN型 | 截止频率fT:， | 结构:平面型 | 封装材料:金属封装

品牌:进口品牌 | 型号:4N60 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:S/开关 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道

品牌:IR，ST，F，三星 | 型号:85N03，80N03，70N03，60N03， | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:SW-REG/开关电源 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 最大漏极电流:? | 跨导:? | 开启电压:? | 夹断电压:? | 低频噪声系数:? | 极间电容:? | 最大耗散功率:?

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:4N60 | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:P沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:UNI/一般用途 | 封装外形:SMD(SO)/表面封装 | 材料:N-FET硅N沟道

应用范围:功率 | 品牌:进口 | 型号:G7N60A4D | 材料:硅(Si)

应用范围:功率 | 品牌:进口 | 型号:40N60A4 | 材料:硅(Si)

品牌:Samsung/三星 | 型号:SSP4N60AS | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 | 材料:N-FET硅N沟道 | ID:4A | VDSS:600V | 封装:TO-220

应用范围:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQP4N60 | 材料:硅(Si)

应用范围:功率 | 品牌:其他 | 型号:MDD4N60 | 材料:锗(Ge) | 封装形式:SMD

应用范围:开关 | 品牌:NEC/日本电气 | 型号:40N60A4D | 材料:硅(Si) | 51:ljlm

应用范围:高反压 | 品牌:ROHM/罗姆 | 型号:4N60.6N60.11N60.20N60............ | 材料:硅(Si) | 封装形式:直插型 | 集电极最大耗散功率PCM:? | 击穿电压VCBO:? | 集电极最大允许电流ICM:? | 极性:NPN型 | 截止频率fT:? | 结构:点接触型 | 封装材料:金属封装 | 是否提供加工定制:是

品牌:ST，F，三星， | 型号:10N60............20N60........ | 种类:绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:耗尽型 | 用途:L/功率放大 | 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET锗N沟道 | 最大漏极电流:................... | 跨导:? | 开启电压:10A，600V | 夹断电压:20A，600V | 低频噪声系数:................ | 极间电容:................ | 最大耗散功率:................

应用范围:功率 | 品牌:进口 | 型号:12N60A4 | 材料:硅(Si)

应用范围:功率 | 品牌:进口 | 型号:12N60A4D | 材料:硅(Si)

品牌:各种进口名牌厂家 | 型号:批发拆机场效应管MTP4N60 | 种类:结型 | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

应用范围:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:30N60A4D | 材料:硅(Si) | 封装形式:TO-247

类型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型号:FQPF4N60 FQPF5N60 | 功率:600V | 封装:TO-220 | 种类:结型(JFET) | 沟道类型:N沟道 | 导电方式:增强型

应用范围:开关 | 品牌:NEC/日本电气 | 型号:40N60A4D | 材料:硅(Si)