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参数资料
| 型号： | CMLT2222A |
| 厂商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 中文描述： | 600 mA, 40 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PICOMINI-6 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 485K |
| 代理商： | CMLT2222A |
Central
Semiconductor Corp.
TM
SOT-563 CASE - MECHANICAL OUTLINE
CMLT2222A
CMLT2222AG*
SURFACE MOUNT
DUAL NPN SMALL SIGNAL
SILICON SWITCHING TRANSISTORS
R2 (6-March 2009)
LEAD CODE:
1) EMITTER Q1
2) BASE Q1
3) COLLECTOR Q2
4) EMITTER Q2
5) BASE Q2
6) COLLECTOR Q1
ELECTRICAL CHARACTERISTICS PER TRANSISTOR - Continued: (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
fT
VCE=20V, IC=20mA, f=100MHz
300
MHz
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
8.0
pF
Cib
VEB=0.5V, IC=0, f=1.0MHz
25
pF
hie
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
2.0
8.0
k Ω
hie
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
0.25
1.25
k Ω
hre
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
8.0
x10
-4
hre
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
4.0
x10
-4
hfe
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
50
300
hfe
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
75
375
hoe
VCE=10V, IC=1.0mA, f=1.0kHz
5.0
35
μS
hoe
VCE=10V, IC=10mA, f=1.0kHz
25
200
μS
rb'Cc
VCB=10V, IE=20mA, f=31.8MHz
150
ps
NF
VCE=10V, IC=100mA, RS=1.0kΩ, f=1.0kHz
4.0
dB
td
VCC=30V, VBE=0.5, IC=150mA, IB1=15mA
10
ns
tr
VCC=30V, VBE=0.5, IC=150mA, IB1=15mA
25
ns
ts
VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA
225
ns
tf
VCC=30V, IC=150mA, IB1=IB2=15mA
60
ns
* Device is Halogen Free by design
MARKING CODES: CMLT2222A:
L22
CMLT2222AG*: 2CG
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CMPT3906GTR | |
| CMPT6428TR | |
| CMPT918TR | |
| CMPTA14E | |
| CMRA6045-10 | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CMLT2222AG | 制造商:CENTRAL 制造商全称:Central Semiconductor Corp 功能描述:SURFACE MOUNT DUAL NPN SMALL SIGNAL SILICON SWITCHING TRANSISTORS |
| CMLT2222AG BK | 功能描述:TRANS 2NPN 40V 0.6A SOT563 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:2 NPN（双） 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 50mA，500mA 电流 - 集电极截止（最大值）:10nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，10V 功率 - 最大值:350mW 频率 - 跃迁:300MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-563 标准包装:5,000 |
| CMLT2222AG TR | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual NPN Small Signal RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| CMLT2222ATR | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述: |
| CMLT2907A | 功能描述:两极晶体管 - BJT Dual PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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