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参数资料
| 型号： | CPC3730CTR |
| 厂商： | CLARE INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 中文描述： | 0.14 A, 350 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | CPC3730CTR |
PRELIMINARY
PRELIMINARY
DS-CPC3730-R00C
1
CPC3730
N-Channel Depletion-Mode FET
RoHS
2002/95/EC
e3
Pb
Part #
Description
CPC3730CTR
SOT-89 (1000/Reel)
BV
DSX/
BV
DGX
R
DS(ON)
(max)
I
DSS (min)
Package
350V
P
30
140mA
SOT-89
Applications
Features
Description
Ordering Information
Package Pinout
Ignition Modules
Normally-On Switches
Solid State Relays
Converters
Telecommunications
Power Supply
Low R
DS(ON) at Cold Temperatures
R
DS(on) 30 max. at 25C
High Input Impedance
High Breakdown Voltage: 350V
P
Low V
GS(off) Voltage: -1.6 to -3.9V
Small Package Size: SOT-89
The CPC3730 is an N-channel, depletion mode, field
effect transistor (FET) that utilizes Clare’s proprietary
third-generation vertical DMOS process. The
third-generation process realizes world class, high
voltage MOSFET performance in an economical
silicon gate process. Our vertical DMOS process
yields a robust device, with high input impedance,
for use in high power applications. The CPC3730
is a highly reliable FET device that has been used
extensively in Clare’s solid state relays for industrial
and telecommunications applications.
This device excels in power applications requiring
low drain-source resistance, particularly in cold
environments such as automotive ignition modules.
The CPC3730 offers a low, 30
maximum, on-state
resistance at 25C.
The CPC3730 has a minimum breakdown voltage
of 350V
P , and is available in an SOT-89 package.
As with all MOS devices, the FET structure prevents
thermal runaway and thermal-induced secondary
breakdown.
(SOT-89)
G
D
S
D
Circuit Symbol
D
S
G
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| CPC3902ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗尽模式 功率耗散（最大值）:1.8W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 300mA， 0V 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 |
| CPC3909CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 |
| CPC3909ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 |
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