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参数资料
| 型号： | CPC3730CTR |
| 厂商： | CLARE INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 中文描述： | 0.14 A, 350 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | CPC3730CTR |
PRELIMINARY
2
R00C
CPC3730
Absolute Maximum Ratings are stress ratings. Stresses in
excess of these ratings can cause permanent damage to
the device. Functional operation of the device at conditions
beyond those indicated in the operational sections of this
data sheet is not implied.
Absolute Maximum Ratings @ 25C
Electrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Noted)
Parameter
Ratings
Units
Drain-to-Source Voltage
350
V
P
Gate-to-Source Voltage
±20
V
P
Total Package Dissipation
1.6 1
W
Operational Temperature
-55 to +125
C
Storage Temperature
-55 to +125
C
1 Mounted on FR4 board 1"x1"x0.062"
Package
I
D (continuous)
I
D (pulsed)
Power Dissipation @T
A=25C
jcC/W
I
DR
I
DRM
SOT-89
140mA
600mA
1.6W 1
15
140mA
600mA
1 Mounted on FR4 board 1"x1"x0.062"
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Drain-to-Source Breakdown Voltage
BV
DSX
V
GS= -5V, ID=100A
350
-
V
P
Gate-to-Source Off Voltage
V
GS(off)
I
DS= 15V, ID=1mA
-1.6
-
-3.9
V
Change in V
GS(off) with Temperatures
dV
GS(off)/dT
V
DS= 15V, ID=1mA
-
4.5
mV/C
Gate Body Leakage Current
I
GSS
V
GS=±20V, VDS=0V
-
100
nA
Drain-to-Source Leakage Current
I
D(off)
V
GS= -5V, VDS=Max Rating
-
1
A
V
GS= -5V, VDS=280V, TA=125C
-
1
mA
Saturated Drain-to-Source Current
I
DSS
V
GS= 0V, VDS=15V
140mA
-
mA
Static Drain-to-Source On-State Resistance
R
DS(on)
V
GS= 0V, ID=140mA
-
30
Change in R
DS(on) with Temperatures
dR
DS(on)/dT
V
GS= 0V, ID=140mA
-
1.1
%/C
Forward Transconductance
G
FS
I
D= 100mA, VDS = 10V
150
-
m
Input Capacitance
C
ISS
V
GS= -5V
V
DS= 25V
f= 1MHz
-
100
200
pF
Common Source Output Capacitance
C
OSS
20
100
Reverse Transfer Capacitance
C
RSS
580
Turn-ON Delay Time
t
d(on)
V
DD= 25V
I
D= 150mA
V
GS= 0V to -10V
R
GEN= 50
-
20
-ns
Rise Time
t
r
10
Turn-OFF Delay Time
t
d(off)
20
Fall time
t
f
50
Source-Drain Diode Voltage Drop
V
SD
V
GS= -5V, ISD= 150mA
-
0.6
1.8
V
Switching Waveform & Test Circuit
90%
10%
90%
10%
PULSE
GENERATOR
V
DD
R
L
OUTPUT
D.U.T.
t
(ON)
t
d(ON)
t
(OFF)
t
d(OFF)
t
F
t
r
INPUT
OUTPUT
0V
V
DD
R
gen
0V
-10V
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