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参数资料
| 型号： | CPC3730CTR |
| 厂商： | CLARE INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 中文描述： | 0.14 A, 350 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | CPC3730CTR |
CPC3730
PRELIMINARY
3
R00C
PERFORMANCE DATA*
*The Performance data shown in the graphs above is typical of device performance. For guaranteed parameters not indicated in the written specications, please
contact our application department.
Output Characteristics
(T
A=25C)
VDS (V)
I D
(mA)
0
1
2
3
4
5
150.0
135.0
120.0
105.0
90.0
75.0
60.0
45.0
30.0
15.0
0
6
V
GS=-1.0
V
GS=-2.0
V
GS=-1.5
V
GS=0.0
Transfer Characteristics
(V
DS=5V)
VGS (V)
I D
(mA)
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
140.0
120.0
100.0
80.0
60.0
40.0
20.0
0
+125C
-40C
+25C
V
GS(off) vs. Temperature
(V
DS=10V, ID=1mA)
-40
0
40
80
120
Temperature (C)
V
GS(off)
(V)
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
-2.4
-3.0
R
ON vs. Temperature
(V
GS=0V, ID=80mA)
-40
0
40
80
120
42.0
36.0
30.0
24.0
18.0
12.0
6.0
0
Temperature (C)
R
ON
(
Ω
)
Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
P
o
wer
Dissipation
(W)
0
20
40
60
80
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
100
120
140
Temperature (C)
V
DS (V)
I D
(A)
0
10
100
1000
1.0
0.1
0.001
0.0001
Maximum Rated Safe Operating Area
at 25C
On-Resistance vs. Drain Current
(V
GS=0V)
ID (A)
0.00
0.04
0.08
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0.12
0.16
0.2
R
ON
(
Ω
)
Capacitance vs. Drain-Source Voltage
(V
GS=-5V)
V
DS
(V)
C
(pF)
0
10
20
160
140
120
100
80
60
40
20
0
30
40
V
ISS
V
RSS
V
OSS
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