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参数资料
| 型号： | CPC3730CTR |
| 厂商： | CLARE INC |
| 元件分类： | JFETs |
| 中文描述： | 0.14 A, 350 V, 30 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封装： | ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | CPC3730CTR |
PRELIMINARY
4
R00C
CPC3730
Manufacturing Information
Moisture Sensitivity
All plastic encapsulated semiconductor packages are susceptible to moisture ingression. Clare classified all
of its plastic encapsulated devices for moisture sensitivity according to the latest version of the joint industry
standard, IPC/JEDEC J-STD-020, in force at the time of product evaluation. We test all of our products to
the maximum conditions set forth in the standard, and guarantee proper operation of our devices when handled
according to the limitations and information in that standard as well as to any limitations set forth in the information or
standards referenced below.
Failure to adhere to the warnings or limitations as established by the listed specifications could result in reduced
product performance, reduction of operable life, and/or reduction of overall reliability.
This product carries a Moisture Sensitivity Level (MSL) rating as shown below, and should be handled according
to the requirements of the latest version of the joint industry standard IPC/JEDEC J-STD-033.
Device
Moisture Sensitivity Level (MSL) Rating
CPC3730C
MSL 1
ESD Sensitivity
This product is ESD Sensitive, and should be handled according to the industry standard JESD-625.
Reflow Profile
This product has a maximum body temperature and time rating as shown below. All other guidelines of J-STD-020
must be observed.
Device
Maximum Temperature x Time
CPC3730C
260C for 30 seconds
Board Wash
Clare recommends the use of no-clean flux formulations. However, board washing to remove flux residue is
acceptable. Since Clare employs the use of silicone coating as an optical waveguide in many of its optically isolated
products, the use of a short drying bake may be necessary if a wash is used after solder reflow processes.
Chlorine-based or Fluorine-based solvents or fluxes should not be used. Cleaning methods that employ ultrasonic
energy should not be used.
RoHS
2002/95/EC
e3
Pb
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPC5610A | |
| CPC5610ATR | |
| CPC5611A | |
| CPC5611ATR | |
| CPC5712UTR | |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPC3816 | 制造商:Pentair Technical Products / Hoffman 功能描述:Side Panels for 38'' high White, fits 48.00x15.00, Steel |
| CPC3902CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V TO-243AA 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗尽模式 功率耗散（最大值）:1.8W（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 300mA， 0V 工作温度:125°C（TJ） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-89 封装/外壳:TO-243AA 标准包装:1,000 |
| CPC3902ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 250V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）:250V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- Vgs（最大值）:±15V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:230pF @ 20V FET 功能:耗尽模式 功率耗散（最大值）:1.8W（Tc） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 300mA， 0V 工作温度:-55°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:SOT-223 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 标准包装:1 |
| CPC3909CTR | 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-89 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:1.1W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89 标准包装:1 |
| CPC3909ZTR | 功能描述:MOSFET N-CH 400V SOT-223 制造商:ixys integrated circuits division 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:耗尽模式 漏源极电压（Vdss）:400V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:300mA（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:9 欧姆 @ 300mA， 0V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-40°C ~ 110°C（TA） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA 供应商器件封装:SOT-223 标准包装:1 |
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