- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录401 > CPH3448-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | CPH3448-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3448
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=30V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
30
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=2A
ID=2A, VGS=4.5V
0.4
3.4
38
1.3
50
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=1A, VGS=2.5V
ID=0.5A, VGS=1.8V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
See speci ? ed Test Circuit.
See speci ? ed Test Circuit.
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=15V, VGS=4.5V, ID=4A
VDS=15V, VGS=4.5V, ID=4A
VDS=15V, VGS=4.5V, ID=4A
IS=4A, VGS=0V
51
80
430
59
38
10
41
36
37
4.7
0.8
1.1
0.82
72
130
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
VDD=15V
4.5V
0V
VIN
ID=2A
RL=7.5 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
VIN
D
VOUT
G
P.G
50 Ω
S
CPH3448
Ordering Information
Device
CPH3448-TL-H
Package
CPH3
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1648-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3455-TL-H | MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 |
| CPH3456-TL-H | MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 |
| CPH3457-TL-H | MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 |
| CPH5617-TL-E | MOSFET N-CH ARRAY 30V 150MA CPH5 |
| CPH5871-TL-H | MOSFET N-CH DIODE SCHOTTKY CPH5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3448-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH3449 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3453 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3455 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH3455_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。