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参数资料
| 型号： | CPH3448-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-96 |
| 供应商设备封装： | 3-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH3448
4.5
VGS -- Qg
VDS=15V
3
2
IDP=16A (PW≤10μs)
ASO
n(
ms
0m
5 ° C
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
ID=4A
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
ID=4A
DC
op
Operation in this area
is limited by RDS(on).
e r a
tio
Ta
10
=2
10
s
)
1m
1 0 0
s
μ s
0.5
3
2
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
0.1
0
0
1
2
3
4
5
6
0.01
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2
3
5
1.2
Total Gate Charge, Qg -- nC IT14352
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15325
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT15326
No. A1648-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH3455-TL-H | MOSFET N-CH 35V 3A CPH3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH3448-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4A CPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，1.8V 驱动 漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:50 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商器件封装:3-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH3449 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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