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参数资料
| 型号： | CPH6442-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 3A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1040pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Ordering number : ENA1242B
CPH6442
N-Channel Power MOSFET
60V, 6A, 43m Ω , Single CPH6
Features
http://onsemi.com
?
?
?
Low ON-resistance
4V drive
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
60
±20
6
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
24
1.6
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
Ordering & Package Information
unit : mm (typ)
7018A-003
2.9
0.15
CPH6442-TL-E
Device
CPH6442-TL-E
Package
CPH6
SC-74, SOT-26, SOT-457
Shipping
3,000
pcs./reel
memo
Pb-Free
6
5
4
Packing Type: TL
Marking
0.05
1
2
0.95
3
0.4
1 : Drain
TL
2 : Drain
3 : Gate
4 : Source
5 : Drain
Electrical Connection
1, 2, 5, 6
6 : Drain
CPH6
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
May, 2013
52913 TKIM/61312 TKIM/61808PE TIIM TC-00001429 No. A1242-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6443-TL-H | MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 |
| CPH6444-TL-E | MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 |
| CPH6445-TL-E | MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 |
| CPPD-0.85-2 | FREQ DOUBLER SMA 0.85~2.0GHZ |
| CPPD-2-4 | FREQ DOUBLER SMA 2.0~4.0GHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH6442-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH6443 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6443_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6443-P-TL-H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: |
| CPH6443-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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