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参数资料
| 型号： | CPH6442-TL-E |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 43 毫欧 @ 3A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1040pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 6-CPH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
CPH6442
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain to Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS= - 60V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
60
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=3A
ID= 3 A, VGS=10V
1.2
2.6
4.4
33
2.6
43
V
S
m Ω
Static Drain to Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate to Source Charge
Gate to Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=1.5A, VGS=4.5V
ID=1.5A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=30V, VGS=10V, ID=6A
IS=6A, VGS=0V
42
46
1040
90
55
12
18
80
35
20
3.0
4.2
0.82
59
65
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
10V
VIN
VDD=30V
0V
VIN
D
ID=3A
RL=10 Ω
VOUT
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
G
CPH6442
P.G
50 Ω
S
No. A1242-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CPH6443-TL-H | MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 |
| CPH6444-TL-E | MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6 |
| CPH6445-TL-E | MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6 |
| CPPD-0.85-2 | FREQ DOUBLER SMA 0.85~2.0GHZ |
| CPPD-2-4 | FREQ DOUBLER SMA 2.0~4.0GHZ |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CPH6442-TL-W | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1040pF @ 20V 功率 - 最大值:1.6W 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 供应商器件封装:6-CPH 标准包装:3,000 |
| CPH6443 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6443_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| CPH6443-P-TL-H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶体管极性: 汲极/源极击穿电压: 闸/源击穿电压: 漏极连续电流: 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 配置: 最大工作温度: 安装风格: 封装 / 箱体: 封装: |
| CPH6443-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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