参数资料
型号: CPH6445-TL-E
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 117 毫欧 @ 1.5A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 310pF @ 20V
功率 - 最大: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-CPH
包装: 带卷 (TR)
CPH6445
3.0
1.8
1.6
ID -- VDS
V
5.0
4.5
V DS =10V
ID -- VGS
1.4
1.2
1.0
4.0
3.5
3.0
2.5
0.8
0.6
0.4
0.2
VGS= 2.5V
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
390
360
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14866
Ta=25°C
260
240
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14867
330
0.7
I D =
= 4V,
=0.
V GS
5 V, I D
=1.5
=4. A
V GS
10V
VGS
300
270
240
210
180
150
120
90
ID=0.7A
1.5A
210
180
150
120
90
60
=
A
, I D
7A
60
30
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
7
5
y fs -- ID
IT14868
VDS=10V
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14869
VGS=0V
3
2
3
2
--2
Ta
° C
5 °
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
0.001 2 3
5 7 0.01
=
75
2 3
C
25
5 7 0.1
° C
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
7
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT14870
V DD =30V
VGS=10V
1000
7
5
3
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT14871
f=1MHz
2
10
tf
2
100
7
7
5
3
td(on)
tr
5
3
2
Coss
Crss
1.0
2
0.1
2
3
5 7 2
Drain Current, ID -- A
3
5 7
IT14872
10
0
5
10 15 20
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
25
30
IT14873
No. A1532-3/5
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PDF描述
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