参数资料
型号: CPH6445-TL-E
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 3.5A CPH6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 117 毫欧 @ 1.5A,10V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 310pF @ 20V
功率 - 最大: 1.6W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商设备封装: 6-CPH
包装: 带卷 (TR)
CPH6445
M s
0 M
10
1m
10
ms
0m
e a
op s
tio
n (
° C
10
9
8
7
6
5
4
3
V DS =30V
I D =3.5A
VGS -- Qg
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
I DP =14A (PW ≤ 10 M s)
I D =3.5A s
Operation in this area
ASO
r
DC 10
is limited by R DS (on). Ta =
25
s
)
10
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 × 0.8mm)
0.1
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
7
5
0.01
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10 2 3 5 7 100
1.8
1.6
Total Gate Charg e, Qg - - nC IT14874
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
IT14875
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14876
No. A1532-4/5
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