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参数资料
| 型号： | CPV362M4FPBF |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 8.8A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 4.8 Amp |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | CPV362M4FPBF |
CPV362M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
3
Document Number: 94361
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Fig. 1 - Typical Load Current vs. Frequency
(Load Current = IRMS of Fundamental)
Fig. 2 - Typical Output Characteristics
Fig. 3 - Typical Transfer Characteristics
Fig. 4 - Maximum Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 5 - Typical Collector to Emitter Voltage vs.
Junction Temperature
0
4
3
2
1
5
6
7
8
9
0.1
1
f - Frequency (kHz)
Load
Current
(A)
100
0.00
0.29
0.58
0.88
1.17
1.46
1.75
2.05
2.34
2.63
10
T
C = 90 °C
T
J = 125 °C
Power factor = 0.8
Modulation depth = 1.15
V
CC = 50 % of rated voltage
Total
Output
Power
(kW)
1
100
10
I C
-
Collector
to
Ermitter
Current
(A)
VCE - Collector to Emitter Voltage (V)
10
1
V
GE = 15 V
20 s pulse width
T
J = 25 °C
T
J = 150 °C
1
100
10
I C
-
Collector
to
Emitter
Current
(A)
VGE - Gate to Emitter Voltage (V)
6
7
8
9
10
11
12
13
14
5
V
CC = 50 V
5 s pulse width
T
J = 25 °C
T
J = 150 °C
0
2
4
6
8
10
Maximum
DC
Collector
Current
(A)
TC - Case Temperature (°C)
25
50
75
100
125
150
1.0
2.0
1.5
2.5
V
CE
-
Collector
to
Emitter
Voltage
(V)
TJ - Junction Temperature (°C)
- 60 - 40 - 20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
V
GE = 15 V
80 s pulse width
I
C = 9.6 A
I
C = 4.8 A
I
C = 2.4 A
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