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参数资料
| 型号： | CPV362M4FPBF |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 8.8A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 4.8 Amp |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 219K |
| 代理商： | CPV362M4FPBF |
CPV362M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 11-Jun-13
4
Document Number: 94361
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Fig. 6 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction to Case
Fig. 7 - Typical Capacitance vs.
Collector to Emitter Voltage
Fig. 8 - Typical Gate Charge vs. Gate to Emitter Voltage
Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate Resistance
Fig. 10 - Typical Switching Losses vs.
Junction Temperature
0.01
0.1
1
10
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 - Rectangular Pulse Duration (s)
Z
thJC
-
Thermal
Impedance
10
D = 0.50
D = 0.20
D = 0.10
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
Single pulse
(thermal response)
P
DM
t
1
t
2
Notes:
1. Duty factor D = t
1/t2
2. Peak T
J = PDM x ZthJC + TC
0
800
1000
600
400
200
C
-
Capacitance
(pF)
VCE - Collector to Emitter Voltage (V)
10
100
1
V
GE = 0 V, f = 1 MHz
C
ies = Cge + Cce
shorted
C
res = Cgc
C
oes = Cce + Cgc
C
ies
C
oes
C
res
0
12
16
4
8
20
V
GE
-
Gate
to
Emitter
Voltage
(V)
QG - Total Gate Charge (nC)
612
18
24
30
0
V
CC = 400 V
I
C = 4.8 A
0.42
0.43
0.44
0.45
0.46
Total
Switching
Losses
(mJ)
RG - Gate Resistance (Ω)
20
30
40
50
10
V
CC = 480 V
V
GE = 15 V
T
J = 25 °C
I
C = 4.8 A
0.1
1
10
Total
Switching
Losses
(mJ)
TJ - Junction Temperature (°C)
- 40 - 20 0
60
40
20
80 100 120 140 160
- 60
R
G = 50 Ω
V
GE = 15 V
V
CC = 480 V
I
C = 9.6 A
I
C = 4.8 A
I
C = 2.4 A
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