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参数资料
| 型号： | CPV364M4FPBF |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 15 Amp |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | CPV364M4FPBF |
CPV364M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 10-Jun-13
8
Document Number: 94487
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Fig. 18a - Test Circuit for Measurement of ILM, Eon, Eoff(diode), trr, Qrr,
Irr, td(on), tr, td(off), tf
Fig. 18b - Test Waveforms for Circuit for Fig. 18a,
Defining Eoff, td(off), tf
Fig. 18c - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining Eon, td(on), tr
Fig. 18d - Test Waveforms for Circuit of Fig. 18a,
Defining Erec, trr, Qrr, Irr
Fig. 18e - Macro Waveforms for Figure 18a’s Test Circuit
Same type
device as
D.U.T.
430 F
80 %
of V
CE
t1
Ic
Vce
t1
t2
90% Ic
10% Vce
td(off)
tf
Ic
5% Ic
t1+5S
Vce ic dt
90% Vge
+Vge
∫
Eoff =
∫ Vceiedt
t2
t1
5% Vce
Ic
Ipk
Vcc
10% Ic
Vce
t1
t2
DUT VOLTAGE
AND CURRENT
GATE VOLTAGE D.U.T.
+Vg
10% +Vg
90% Ic
tr
td(on)
Eon =
DIODE REVERSE
RECOVERY ENERGY
tx
∫
Erec =
t4
t3
Vd id dt
t4
t3
DIODE RECOVERY
WAVEFORMS
Ic
Vpk
10% Vcc
Irr
10% Irr
Vcc
trr
∫
Qrr =
trr
tx
id dt
Vg GATE SIGNAL
DEVICE UNDER TES
CURRENT D.U.T.
VOLTAGE IN D.U.T.
CURRENT IN D1
t0
t1
t2
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PDF描述 |
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