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参数资料
| 型号： | CPV364M4FPBF |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 15 Amp |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | CPV364M4FPBF |
CPV364M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 10-Jun-13
2
Document Number: 94487
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Notes
(1) Pulse width
80 μs, duty factor 0.1 %
(2) Pulse width 5.0 μs; single shot
THERMAL AND MECHANICAL SPECIFICATIONS
PARAMETER
SYMBOL
TYP.
MAX.
UNITS
Junction to case, each IGBT, one IGBT in conduction
RthJC (IGBT)
-
2.0
°C/W
Junction to case, each DIODE, one DIODE in conduction
RthJC (DIODE)
-
3.0
Case to sink, flat, greased surface
RthCS (MODULE)
0.10
-
Weight of module
20
-
g
0.7
-
oz.
ELECTRICAL SPECIFICATIONS (TJ = 25 °C unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNITS
Collector to emitter breakdown
voltage
V(BR)CES (1)
VGE = 0 V, IC = 250 μA
600
-
V
Temperature coefficient of
breakdown voltage
V
(BR)CESTJ
VGE = 0 V, IC = 1.0 mA
-
0.69
-
V/°C
Collector to emitter saturation voltage
VCE(on)
IC = 15 A
VGE = 15 V
See fig. 2, 5
-
1.35
1.5
V
IC = 27 A
-
1.60
-
IC = 15 A, TJ = 150 °C
-
1.35
-
Gate threshold voltage
VGE(th)
VCE = VGE, IC = 250 μA
3.0
-
6.0
Temperature coefficient of
threshold voltage
V
GE(th)/TJ
-- 12
-
mV/°C
Forward transconductance
gfe (2)
VCE = 100 V, IC = 27 A
9.2
12
-
S
Zero gate voltage collector current
ICES
VGE = 0 V, VCE = 600 V
-
250
μA
VGE = 0 V, VCE = 600 V, TJ = 150 °C
-
2500
Diode forward voltage drop
VFM
IC = 15 A
See fig. 13
-1.3
1.7
V
IC = 15 A, TJ = 150 °C
-
1.2
1.6
Gate to emitter leakage current
IGES
VGE = ± 20 V
-
± 100
nA
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