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参数资料
| 型号： | CPV364M4FPBF |
| 厂商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分类： | 电源模块 |
| 英文描述： | Trans IGBT Module N-CH 600V 27A 13-Pin IMS-2 |
| 中文描述： | IGBT Transistors 600 Volt 15 Amp |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 236K |
| 代理商： | CPV364M4FPBF |
CPV364M4FPbF
www.vishay.com
Vishay Semiconductors
Revision: 10-Jun-13
7
Document Number: 94487
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
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Fig. 14 - Typical Reverse Recovery Time vs. dIF/dt
Fig. 15 - Typical Recovery Current vs. dIF/dt
Fig. 16 - Typical Stored Charge vs. dIF/dt
Fig. 17 - Typical dI(rec)M/dt vs dIF/dt
20
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f
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I
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(A
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IR
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M
I = 5.0A
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F
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R
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f
di /dt - (A/s)
RR
Q
-
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C
)
I = 30A
I = 15A
I = 5.0A
F
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
R
J
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1000
0
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0
1
f
di /dt - (A/s)
di(rec)M
/d
t
-
(A/
s
)
I = 5.0A
I = 15A
I = 30A
F
V = 200V
T = 125°C
T = 25°C
R
J
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