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参数资料
| 型号： | CS5361GD16 |
| 厂商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分类： | 稳压器 |
| 英文描述： | 2 A BATTERY CHARGE CONTROLLER, 635 kHz SWITCHING FREQ-MAX, PDSO16 |
| 封装： | SOIC-16 |
| 文件页数： | 10/15页 |
| 文件大小： | 120K |
| 代理商： | CS5361GD16 |
CS5361
http://onsemi.com
1234
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (0
°C < TA < 70°C; 0°C < TJ < 115°C; 7.0 V < VCC < 30 V; CGATE(H) = CGATE(L) =
1.0 nF, CREF = 0.1 F, CVCC = 0.1 F, CICOMP = 0.1 F; unless otherwise specified.)
Characteristic
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Voltage Error Amplifier
VFB Bias Current
VFB = 0 V
–
0.1
0.27
A
VCOMP Source Current
VCOMP = 0.5 V to 3.3 V; VFB = 0.9 V
68
100
170
A
VCOMP Sink Current
VCOMP = 0.5 V to 3.3 V; VFB = 1.1 V
60
100
160
A
Open Loop DC Gain
Note 2
60
80
100
dB
Transconductance (Gm)
–
0.6
1.2
2.1
mA/V
Output Impedance
Note 2
1.4
8.3
47.6
M
PSRR @ 1.0 kHz
Note 2
60
85
–
dB
CMRR @ 1.0 kHz
Note 2
80
110
–
dB
Input Voltage Offset
1.0 V to 5.0 V
–5.0
–
6.5
mV
VCOMP Max Voltage
VREF(IN) = 3.3 V, VFB = 3.2 V
3.9
5.0
6.5
V
VCOMP Min Voltage
VREF(IN) = 3.3 V, VFB = 3.4 V
–
0.1
0.2
V
GATE(H) and GATE(L)
High Voltage (AC)
Note 2
VCC – 0.5
VCC
–
V
Low Voltage (AC)
Note 2
–
0
0.5
V
Rise Time
For VCC > 10 V: Note 2
1.0 V < GATE(L) < 3.0 V,
VCC – 8.0 V < GATE(H) < VCC – 1.0 V;
For 7.0 V < VCC < 10 V:
1.0 V < GATE(L) < VCC – 1.0 V,
1.0 V < GATE(H) < VCC 1.0 V
–
40
80
ns
Fall Time
For VCC > 10 V: Note 2
3.0 V > GATE(L) > 1.0 V,
VCC – 1.0 V > GATE(H) < VCC – 8.0 V;
For 7.0 V < VCC < 10 V:
VCC – 1.0 V > GATE(L) < 1.0 V,
VCC – 1.0 V > GATE(H) > 1.0 V
–
40
80
ns
GATE(H) to GATE(L) Delay
VCC – GATE(H) < 2.0 V, GATE(L) > 2.0 V
Note 2
40
80
110
ns
GATE(L) to GATE(H) Delay
GATE(L) < 2.0 V, VCC – GATE(H) > 2.0 V
Note 2
15
60
80
ns
GATE(L) Clamp to GND
–
4.0
5.0
6.0
V
GATE(H) Clamp to VCC
–
–15
–12
–10
V
GATE(H) Sleep Clamp
IGATE(H) = 100 A
–
VCC – 0.7
VCC – 1.0
V
GATE(L) Resistance to GND
–
20
50
100
k
GATE(H) Bias Clamp
IGATE(H) = 10 A to GND in Bias mode
13
16
20
V
GATE(H) Bias Current
GATE(H) = VCC – 5.0 V
3.0
10
20
A
2. Guaranteed by design, not 100% production tested.
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