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参数资料
| 型号： | CY7C09159AV-12AXC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 3.3V 8K/16K x 9 Synchronous Dual Port Static RAM |
| 中文描述： | 8K X 9 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100 |
| 封装： | PLASTIC, LEAD FREE, TQFP-100 |
| 文件页数： | 13/16页 |
| 文件大小： | 526K |
| 代理商： | CY7C09159AV-12AXC |
CY7C09159AV
CY7C09169AV
Document #: 38-06053 Rev. *B
Page 6 of 16
Switching Characteristics Over the Operating Range
Parameter
Description
CY7C09159AV
Unit
-9
-12
Min.
Max.
Min.
Max.
fMAX1
fMax Flow-Through
40
33
MHz
fMAX2
fMax Pipelined
67
50
MHz
tCYC1
Clock Cycle Time - Flow-Through
25
30
ns
tCYC2
Clock Cycle Time - Pipelined
15
20
ns
tCH1
Clock HIGH Time - Flow-Through
12
ns
tCL1
Clock LOW Time - Flow-Through
12
ns
tCH2
Clock HIGH Time - Pipelined
6
8
ns
tCL2
Clock LOW Time - Pipelined
6
8
ns
tR
Clock Rise Time
3
ns
tF
Clock Fall Time
3
ns
tSA
Address Set-up Time
4
ns
tHA
Address Hold Time
1
ns
tSC
Chip Enable Set-up Time
4
ns
tHC
Chip Enable Hold Time
1
ns
tSW
R/W Set-up Time
4
ns
tHW
R/W Hold Time
1
ns
tSD
Input Data Set-up Time
4
ns
tHD
Input Data Hold Time
1
ns
tSAD
ADS Set-up Time
4
ns
tHAD
ADS Hold Time
1
ns
tSCN
CNTEN Set-up Time
4
ns
tHCN
CNTEN Hold Time
1
ns
tSRST
CNTRST Set-up Time
4
ns
tHRST
CNTRST Hold Time
1
ns
tOE
Output Enable to Data Valid
10
12
ns
tOLZ
OE to Low Z
2
ns
tOHZ
OE to High Z
1
7
1
7
ns
tCD1
Clock to Data Valid - Flow-Through
20
25
ns
tCD2
Clock to Data Valid - Pipelined
9
12
ns
tDC
Data Output Hold After Clock HIGH
2
ns
tCKHZ
Clock HIGH to Output High Z
2
9
2
9
ns
tCKLZ
Clock HIGH to Output Low Z
2
ns
Port to Port Delays
tCWDD
Write Port Clock High to Read Data Delay
40
ns
tCCS
Clock to Clock Set-up Time
15
ns
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1009B-20VXC | 128K X 8 STANDARD SRAM, 20 ns, PDSO32 |
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| CY7C1002-20DMB | x4 SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C09159AV-9AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
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| CY7C09169AV-12AC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C09169AV-12AI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C09169AV-12AXC | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 12NS 100LQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:移动 SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.95 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:带卷 (TR) 其它名称:557-1327-2 |
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