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参数资料
| 型号： | CY7C1069AV33-10BAC |
| 厂商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 2M x 8 Static RAM |
| 中文描述： | 2M X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PBGA60 |
| 封装： | 8 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, FBGA-60 |
| 文件页数： | 9/12页 |
| 文件大小： | 460K |
| 代理商： | CY7C1069AV33-10BAC |
CY7C1069AV33
Document #: 38-05255 Rev. *G
Page 6
tPWE
WE Pulse Width
7
8
ns
tSD
Data Setup to Write End
5.5
6
ns
tHD
Data Hold from Write End
0
ns
tLZWE
WE HIGH to Low-Z[9]
33
ns
tHZWE
WE LOW to High-Z[9]
56
ns
AC Switching Characteristics Over the Operating Range (continued)[7]
Parameter
Description
–10
–12
Unit
Min
Max
Min
Max
Figure 4. Data Retention Waveform
3.0V
tCDR
VDR > 2V
DATA RETENTION MODE
tR
CE
VCC
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1069AV33 | 2M x 8 Static RAM |
| CY7C109BL-15VC | 128K x 8 Static RAM |
| CY7C109BL-15VI | 128K x 8 Static RAM |
| CY7C109BL-15ZC | 128K x 8 Static RAM |
| CY7C1157V18-333BZC | 18-Mbit DDR-II+ SRAM 2-Word Burst Architecture (2.0 Cycle Read Latency) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| CY7C1069AV33-10BAI | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1069AV33-10ZC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: |
| CY7C1069AV33-10ZXC | 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 8 CPG COM Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1069AV33-10ZXCT | 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 8 CPG COM Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
| CY7C1069AV33-10ZXI | 功能描述:静态随机存取存储器 2M x 8 CPG IND Fast Async 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray |
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