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DFE201612E-2R2M=P2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
1857
MURATA
NA
20230926
-
现货！就到京北通宇商城

DFE201612E-2R2M=P2
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：吴
电话：18724450645
地址：中国上海
1817
MURATA
NA
20230926
-
查现货！就到京北通宇商城

DFE201612E-2R2M=P2
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
1817
MURATA
con
20230926
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价

DFE201612E-2R2M=P2
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13305449939
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
1817
MURATA
con
20230926
-
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价ww...

DFE201612E-2R2M=P2
深圳市华盛锦科技有限公司
深圳市华盛锦科技有限公司
联系人：张先生/雷小姐
电话：0755-8279802015814679726（承诺只售原装正品，终端BOM配单一站式服务）
地址：华强街道赛格广场55楼5566室
资质：营业执照
36890
MURATA
SMD
21+原厂授权
-
★原厂授权★价超代理★

DFE201612E-2R2M=P2
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：廖R
电话：13163738578
地址：龙岗区坂田五和大道山海大厦c 栋707
1578
MURATA
C24-电感器
2021-10-26
-

DFE201612E-2R2M=P2
深圳市宏浩通电子科技有限公司
深圳市宏浩通电子科技有限公司
联系人：王利娟
电话：13823141664
地址：华强北街道上步工业区305栋3楼B08
3000
MURATA
806
2016+
-
原装正品假一赔十

DFE201612E-2R2M=P2
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
3000
MURATA
主营优势
1744
-
100%原装正品★终端免费供样★

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DFE201612E-2R2M=P2 技术参数

DFE201612E-1R0M=P2 功能描述:FIXED IND 1UH 2.9A 48 MOHM SMD 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201612E 包装:剪切带（CT）零件状态:在售类型:绕线材料 - 磁芯:金属电感:1μH 容差:±20% 额定电流:2.9A 电流 - 饱和值:4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:48 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 特性:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:0806（2016 公制）供应商器件封装:0806（2016 公制）大小/尺寸:0.079" 长 x 0.063" 宽（2.00mm x 1.60mm）高度 - 安装（最大值）:0.047"（1.20mm）标准包装:1 DFE201610R-H-R47M=P2 功能描述:470nH Shielded Wirewound Inductor 3.8A 26 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:470nH 容差:±20% 额定电流:3.8A 电流 - 饱和值:5.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:26 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201610R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.4A 168 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.4A 电流 - 饱和值:2A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:168 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201610R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.8A 110 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:1.8A 电流 - 饱和值:2.5A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:110 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201610R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.2A 70 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE201610R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:2.2A 电流 - 饱和值:3.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:70 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE201612R-H-R47M=P2 DFE252008C-1R0M=P2 DFE252008C-1R5M=P2 DFE252008C-2R2M=P2 DFE252008C-3R3M=P2 DFE252008C-4R7M=P2 DFE252008C-R47M=P2 DFE252010F-100M=P2 DFE252010F-1R0M=P2 DFE252010F-1R5M=P2 DFE252010F-2R2M=P2 DFE252010F-3R3M=P2 DFE252010F-4R7M=P2 DFE252010F-6R8M=P2 DFE252010F-8R2M=P2 DFE252010F-R33M=P2 DFE252010F-R47M=P2 DFE252010F-R68M=P2

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