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DFE252012C-4R7M

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DFE252012C-4R7M 技术参数

DFE252010R-H-4R7M=P2 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 276 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:4.7μH 容差:±20% 额定电流:1.1A 电流 - 饱和值:1.4A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:276 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252010R-H-2R2M=P2 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 1.7A 126 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:2.2μH 容差:±20% 额定电流:1.7A 电流 - 饱和值:2.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:126 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252010R-H-1R5M=P2 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 2.1A 90 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1.5μH 容差:±20% 额定电流:2.1A 电流 - 饱和值:2.3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:90 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252010R-H-1R0M=P2 功能描述:1μH Shielded Wirewound Inductor 2.7A 68 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010R 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:1μH 容差:±20% 额定电流:2.7A 电流 - 饱和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:68 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252010P-R68M=P2 功能描述:680nH Shielded Wirewound Inductor 3A 48 mOhm Max 制造商:murata electronics north america 系列:DFE252010P 包装:* 零件状态:新产品类型:绕线材料 - 磁芯:铁粉电感:680nH 容差:±20% 额定电流:3A 电流 - 饱和值:4.1A 屏蔽:屏蔽 DC 电阻（DCR）:48 毫欧最大不同频率时的 Q 值:- 频率 - 自谐振:- 等级:- 工作温度:-40°C ~ 125°C 频率 - 测试:1MHz 安装类型:* 封装/外壳:* 大小/尺寸:* 高度 - 安装（最大值）:* 标准包装:1 DFE252012F-R47M=P2 DFE252012F-R68M=P2 DFE252012F-R82M=P2 DFE252012P-1R0M=P2 DFE252012P-1R5M=P2 DFE252012P-2R2M=P2 DFE252012P-3R3M=P2 DFE252012P-4R7M=P2 DFE252012PD-1R0M=P2 DFE252012P-R33M=P2 DFE252012P-R47M=P2 DFE252012P-R68M=P2 DFE252012R-H-1R0M=P2 DFE252012R-H-1R5M=P2 DFE252012R-H-2R2M=P2 DFE252012R-H-4R7M=P2 DFEG10040D-100M=P3 DFEG10040D-150M=P3