参数资料
型号: DG636EN-T1-E4
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 14/14页
文件大小: 0K
描述: IC SWITCH DUAL SPDT 16-MINIQFN
标准包装: 1
功能: 开关
电路: 2 x SPDT
导通状态电阻: 170 欧姆
电压电源: 单/双电源
电压 - 电源,单路/双路(±): 2.7 V ~ 12 V,± 2.7 V ~ 5 V
电流 - 电源: -500nA,500nA
工作温度: -40°C ~ 125°C
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 16-WFQFN
供应商设备封装: 16-迷你型QFN(1.8x2.6)
包装: 标准包装
其它名称: DG636EN-T1-E4DKR
Vishay Siliconix
DG636
Document Number: 69901
S10-1815-Rev. D, 02-Aug-10
www.vishay.com
9
TEST CIRCUITS
Figure 1. Transition Time
A0
A1
ENABLE
GND
V+
V-
V+
VO
50
Ω
300
Ω
35 pF
D1 or D2
S1A or S2A
S2A or S2B
VS1A or VS2A
VS2A or VS2B
0 V
VCC
50 %
90 %
tTRANS
VO
VA0,A1
VS1A or VS2A
tTRANS
tr < 5 ns
tf < 5 ns
V+
Figure 2. Enable Switching Time
A0
A1
ENABLE
GND
V+
V-
V+
VO
50
Ω
300
Ω
35 pF
D1 or D2
S1A or S2A
S1B or S2B
0 V
VCC
50 %
90 %
tON
S1A or S2A ON
VO
VENABLE
VS1Aor VS2A
V+
0 V
tr < 5 ns
tf < 5 ns
tOFF
90 %
Figure 3. Break-Before-Make
A0
A1
ENABLE
GND
V+
V-
VO
50
Ω
300
Ω
35 pF
D1 or D2
SxA - SxB
0 V
VCC
50 %
80 %
tD
VO
VA0,A1
VSxA or VSxB
V+
0 V
V
+
tr < 5 ns
tf < 5 ns
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参数描述
DG636EQ-T1-E3 功能描述:模拟开关 IC Dual SPDT Switches RoHS:否 制造商:Texas Instruments 开关数量:2 开关配置:SPDT 开启电阻(最大值):0.1 Ohms 切换电压(最大): 开启时间(最大值): 关闭时间(最大值): 工作电源电压:2.7 V to 4.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DSBGA-16
DG63-B1A 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:Snap-Action Switches Insert molding terminals
DG63-B1AA 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:Snap-Action Switches Insert molding terminals
DG63-B2A 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:Snap-Action Switches Insert molding terminals
DG63-B2AA 制造商:HRS 制造商全称:HRS 功能描述:Snap-Action Switches Insert molding terminals