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参数资料
| 型号： | DMC2038LVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2038LVT-7DIDKR |
DMC2038LVT
Electrical Characteristics N-CHANNEL – Q1 (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current @T c = +25°C
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
20
—
—
—
—
—
—
1.0
±100
V
μ A
nA
V GS = 0V, I D = 250 μ A
V DS =16V, V GS = 0V
V GS = ±12V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7 )
Gate Threshold Voltage
V GS(th)
0.4
—
1.0
V
V DS = V GS , I D = 250 μ A
—
27
35
V GS = 4.5V, I D = 4.0A
Static Drain-Source On-Resistance
R DS (ON)
—
33
43
m ?
V GS = 2.5V, I D = 2.5A
—
43
56
V GS = 1.8V, I D = 1.5A
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
|Y fs |
V SD
—
0.4
9
—
—
1.1
S
V
V DS = 5V, I D = 3.4A
V GS = 0V, I S = 1A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge (V GS = 4.5V)
Total Gate Charge (V GS = 10V)
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
R g
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
400
70
65
1.9
5.7
12
0.7
1.4
5
8
25
8
530
90
100
—
—
17
—
—
10
16
40
16
pF
pF
pF
?
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V DS = 10V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1MHz
V DS = 15V,I D = 5.8A
V DS = 10V, V GS = 4.5V,
R G = 6 ? , I DS = 1A,
Notes:
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
8. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
30
25
20
V GS =10V
V GS =4.5V
V GS =4.0V
V GS =3.5V
V GS =3.0V
V GS =2.5V
20
15
V DS = 5.0V
T A = -55 ? C
T A = 25 ? C
T A = 85 ? C
T A = 150 ? C
T A = 125 ? C
15
10
V GS =2.0V
10
5
5
0
0
0.5
1
V GS =1.5V
1.5
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 1 Typical Output Characteristics
V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 2Typical Transfer Characteristics
DMC2038LVT
Document number: DS35417 Rev. 6 - 2
3 of 10
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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