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参数资料
| 型号： | DMC2038LVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2038LVT-7DIDKR |
DMC2038LVT
0.16
0.12
0.08
0.04
V GS = -1.8V
V GS = -2.5V
V GS = -4.5V
0.20
0.18
0.16
0.14
0.12
0.1
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 4.5V
T A = 150 ? C
T A = 125 ? C
T A = 85 ? C
T A = 25 ? C
T A = -55 ? C
0
0
5 10 15
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT
Fig. 15 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Gate Voltage
20
0
0
4 8 12 16
-I D , DRAIN SOURCE CURRENT (A)
Fig. 16 Typical On-Resistance vs.
Drain Current and Temperature
20
1.7
1.5
0.14
0.12
1.3
0.1
-V GS =5V
-I D =5A
0.08
1.1
0.9
0.06
0.04
-V GS =10V
-I D =10A
1.5
1
0.5
0.7
0.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 17 On-Resistance Variation with Temperature
0.02
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Fig. 18 On-Resistance Variation with Temperature
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-50
-25
0 25 50 75 100 125 150
0
0.2
0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 19 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
-V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 20 Diode Forward Voltage vs. Current
DMC2038LVT
Document number: DS35417 Rev. 6 - 2
7 of 10
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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