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参数资料
| 型号： | DMC2038LVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2038LVT-7DIDKR |
DMC2038LVT
Electrical Characteristics P-CHANNEL – Q2 (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current @T c = +25°C
Gate-Source Leakage
BV DSS
I DSS
I GSS
-20
—
—
—
—
—
—
-1.0
±100
V
μ A
nA
V GS = 0V, I D = -250 μ A
V DS = -16V, V GS = 0V
V GS = ±12V, V DS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
V GS(th)
-0.4
—
-1.0
V
V DS = V GS , I D = -250 ? A
—
57
74
V GS = -4.5V, I D = -3.0A
Static Drain-Source On-Resistance
R DS (ON)
—
76
110
m ?
V GS = -2.5V, I D = -1.5A
—
102
168
V GS = -1.8V, I D = -1.0A
Forward Transfer Admittance
Diode Forward Voltage
|Y fs |
V SD
—
—
10
-0.8
—
-1.0
S
V
V DS = -5V, I D = -3.0A
V GS = 0V, I S = -0.6A
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 8)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Gate Resistance
Total Gate Charge (V GS = -4.5V)
Total Gate Charge (V GS = -10V)
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
R g
Q g
Q g
Q gs
Q gd
t D(on)
t r
t D(off)
t f
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
530
70
60
72
7
14
0.95
1.2
11
12
21
13
705
95
90
-
10
—
—
—
20
22
34
23
pF
pF
pF
?
nC
nC
nC
nC
nS
nS
nS
nS
V DS = -10V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS = 0V, V GS = 0V, f = 1MHz
V DS = -15V,I D = -6A
V DS = -10V, V GS = -4.5V,
R G = 6 ? , I S = -1A,
Notes:
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effec
8. Guaranteed by design. Not subject to product testing.
20
-V GS =10V
-V GS =4.5V
20
15
10
5
-V GS =4.0V
-V GS =3.5V
-V GS =3.0V
-V GS =2.5V
-V GS =2.0V
15
10
5
-V GS =1.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
0
0
0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
5
-V DS , DRAIN -SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 13 Typical Output Characteristics
-V GS , GATE SOURCE VOLTAGE(V)
Fig. 14 Typical Transfer Characteristics
DMC2038LVT
Document number: DS35417 Rev. 6 - 2
6 of 10
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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