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参数资料
| 型号： | DMC2038LVT-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A，2.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 4A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 530pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | 26-TSOT |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2038LVT-7DIDKR |
DMC2038LVT
1000
f = 1MHz
C ISS
10
8
6
100
C OSS
4
Q g vs. V GS
C RSS
2
10
0
5 10 15
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Junction Capacitance
20
0
0
2
4 6 8 10 12 14
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 22 Gate-Charge Characteristics
16
100
10
1
R DS(on)
Limited
DC
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
0.1 T J(max) = 150°C
T A = 25°C
V GS = -10V
Single Pulse
P W = 10ms
P W = 1ms
P W = 100μs
0.01
DUT on 1 * MRP Board
0.1 1 10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 23 SOA, Safe Operation Area
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
100
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
Single Pulse
D = 0.9
R ? JA (t) = r(t) * R ? JA
R ? JA = 164°C/W
Duty Cycle, D = t1/ t2
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01 0.1 1
10
100
1,000
t1, PULSE DURATION TIMES (sec)
Fig. 24 Transient Thermal Resistance
DMC2038LVT
Document number: DS35417 Rev. 6 - 2
8 of 10
www.diodes.com
September 2013
? Diodes Incorporated
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