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参数资料
| 型号： | DMC2990UDJ-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 450/310 SOT963 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 450mA，310mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27.6pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2990UDJ-7DIDKR |
DMC2990UDJ
1.2
0.8
1.0
0.6
0.8
0.6
I D = -1mA
0.4
T A = 25°C
I D = -250μA
0.4
0.2
0.2
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T J , JUNCTION TEMPERATURE( ? C)
Fig. 19 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0
0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
V SD , SOURCE- DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 20 Diodes Forward Voltage vs. Current
50
f = 1MHz
1,000
T A = 150°C
40
T A = 125°C
30
20
C iss
100
10
T A = 85°C
10
C oss
T A = -25°C
0
0
2 4 6 8
C rss
10
1
0
2
4 6 8 10 12 14 16 18
20
5
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 21 Typical Junction Capacitance
10
-V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 22 Typical Leakage Current vs.
Drain-Source Voltage
P W = 100μs
P W = 1ms
4
1
R DS(ON)
Limited
3
P W = DC
P W = 10μs
2
1
V DS = 10V, I D = -4.5A
0.1
0.01
P W = 10s
P W = 1s
P W = 100ms
P W = 10ms
T J(MAX) = 150 ? C
0
0
2
4 6 8 10 12 14 16
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Fig. 23 Gate Charge Characteristics
18
T A = 25 ? C
Single Pulse
0.001
0.1 1 10
V DS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
Fig. 24 SOA, Safe Operation Area
100
DMC2990UDJ
Document number: DS35481 Rev. 9 - 2
7 of 9
www.diodes.com
March 2013
? Diodes Incorporated
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| DMC3021LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3021LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET COMP PAIR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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