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参数资料
| 型号： | DMC2990UDJ-7 |
| 厂商： | Diodes Inc |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 450/310 SOT963 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 450mA，310mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 990 毫欧 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 0.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 27.6pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 350mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | DMC2990UDJ-7DIDKR |
DMC2990UDJ
1
D = 0.7
D = 0.5
D = 0.3
D = 0.9
0.1
0.01
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
D = 0.005
D = Single Pulse
R ? JA (t) = r(t)*R ? JA
R ? JA = 356C/W
Duty Cycle, D = t1/t2
0.001
0.000001 0.00001
0.0001
0.001 0.01 0.1 1
t1, PULSE DURATION TIME (sec)
10
100
1,000
Fig. 25 Transient Thermal Resistance
Package Outline Dimensions
D
e1
L
Dim
A
SOT963
Min Max Typ
0.40
0.50 0.45
E1
E
A1
c
D
E
E1
0
0.120
0.95
0.95
0.75
0.05 -
0.180 0.150
1.05 1.00
1.05 1.00
0.85 0.80
e
b (6 places)
c
L
b
0.05
0.10
0.15 0.10
0.20 0.15
e
e1
0.35 Typ
0.70 Typ
A1
Suggested Pad Layout
A
All Dimensions in mm
C
C
Dimensions Value (in mm)
C
X
0.350
0.200
Y1
Y (6X)
DMC2990UDJ
Document number: DS35481 Rev. 9 - 2
X (6X)
Y
Y1
8 of 9
www.diodes.com
0.200
1.100
March 2013
? Diodes Incorporated
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DMC3018LSD-13 | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC |
| DMC3021LK4-13 | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L |
| DMC3021LSD-13 | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8 |
| DMC3028LSD-13 | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 |
| DMC3035LSD-13 | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| DMC3018LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3018LSD-13 | 功能描述:MOSFET CMPLMNTRY PR ENHCMNT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3021LK4-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 V-30V,TO252,2.5K RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| DMC3021LSD | 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| DMC3021LSD-13 | 功能描述:MOSFET MOSFET COMP PAIR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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